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碳化硅涂层物理气相相关内容

2024-12-12

一、物理气相沉积(PVD)制备碳化硅涂层的原理


物理气相沉积(PVD)制备碳化硅涂层时,是在真空环境下将固态碳化硅材料蒸发或溅射到基材表面形成薄膜。这个过程可分三个工艺步骤:


镀料的气化:在反应室中注入如氩气等气体,使镀料(碳化硅)蒸发、升华或被溅射,成为气化源。镀料原子、分子或离子从这个气化源产生,这是PVD制备碳化硅涂层的起始步骤。

镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出的原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应,这些原子、分子或离子开始迁移,为在基材上沉积做准备。

镀料原子、分子或离子在基体上沉积:被击脱的固体表面原子在基底表面上重新沉积,最终形成碳化硅涂层薄膜。在这个过程中,原子、分子或离子按照一定规律在基体上层层沉积,构建出碳化硅涂层。


碳化硅涂层


二、物理气相沉积(PVD)制备碳化硅涂层的特点


较高的附着力和致密性:采用PVD方法制备的碳化硅涂层具有较高的附着力,能够牢固地附着在基材表面。同时,其致密性较好,可以有效地防止外界物质的侵入,起到良好的保护作用。

适用于复杂形状的涂层:由于PVD是在真空环境下通过原子、分子或离子的沉积来形成涂层,所以它可以适应复杂形状的基材,能够在各种形状的表面上均匀地沉积碳化硅涂层,这是其相对于其他制备方法的一个显著优势。


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